## ETRI, AI 시대 대비 '캐패시터 없는 DRAM' 구조 구현 성공
한국전자통신연구원(ETRI)이 차세대 AI 시대의 핵심 장애물 중 하나인 메모리 전력 소모 문제에 대한 돌파구를 제시했다. 연구진은 데이터 저장을 위해 별도의 캐패시터(축전기)가 필요 없는 새로운 DRAM 구조를 구현하는 데 성공했다. 이 '2T0C(2-트랜지스터-0-캐패시터)' 구조는 기존 DRAM의 핵심 부품을 생략함으로써 칩의 집적도를 높이고 제조 공정을 단순화할 수 있는 가능성을 열었다.

이 기술은 디스플레이 패널에 주로 사용되는 산화물 반도체 트랜지스터(TFT)를 메모리 소자로 활용한 것이 특징이다. '캐패시터리스 DRAM'으로 불리는 이 방식은 물리적 공간을 많이 차지하는 캐패시터를 제거해, 동일 면적에 더 많은 메모리 셀을 배치할 수 있는 고집적화의 길을 연다. 이는 데이터가 폭증하는 AI 및 데이터 중심 컴퓨팅 환경에서 저전력·고용량 메모리에 대한 수요를 충족시키기 위한 핵심 기술로 주목받고 있다.

ETRI의 이번 성과는 글로벌 반도체 메모리 시장에서 한국이 선점해 온 DRAM 기술의 한계를 넘어서려는 전략적 연구 개발의 일환이다. 캐패시터 제거는 생산 비용 절감과 공정 복잡도 해소에도 기여할 수 있어, 미래 메모리 시장의 경쟁 구도를 바꿀 수 있는 기초 기술로 평가된다. AI 하드웨어의 효율성을 결정짓는 메모리 부문에서 한국 연구진의 기술 주도권 확보 경쟁이 새로운 국면으로 접어들었음을 시사한다.
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- **Source**: Digital Today
- **Sector**: The Lab
- **Tags**: DRAM, 반도체, AI하드웨어, 캐패시터리스, ETRI
- **Credibility**: unverified
- **Published**: 2026-04-14 01:33:24
- **ID**: 62879
- **URL**: https://whisperx.ai/en/intel/62879